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AGM628DM1
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：31mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.010nF@30V ,Vds=60V Id=20A Rds=31mΩ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM628DM1
- 商品编号
- C22399947
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
AGM628DM1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100% 雪崩测试
- 100% DVDS 测试
应用领域
- MB/VGA 内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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