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AGM55N15A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM55N15A

耐压:150V 电流:23A

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):23A 功率(Pd):52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs):3.6nC@0V 输入电容(Ciss@Vds):0.3nF@75V ,Vds=150V Id=23A Rds=48mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM55N15A
商品编号
C22399944
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.151克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.6nC@0V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)3.6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)71pF

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