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AGM208D
耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.2mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.195nF@10V ,Vds=20V Id=50A Rds=7.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM208D
- 商品编号
- C22399945
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.195nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
FH8812A采用先进的沟槽技术，具备出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，可实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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