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AGM216ME实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM216ME

N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21mΩ/27.5mΩ

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描述
类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A/-5.6A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,5A;27.5mΩ@-4.5V,-4A 栅极电荷(Qg@Vgs):5.5nC@4.5V;10nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):0.355nF@10V;0.671nF@-10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM216ME
商品编号
C22399933
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.045克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)671pF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)115pF

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