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AGM216ME
N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21mΩ/27.5mΩ
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- 描述
- 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A/-5.6A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,5A;27.5mΩ@-4.5V,-4A 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.5nC@4.5V;10nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.355nF@10V;0.671nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM216ME
- 商品编号
- C22399933
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 671pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
AGM216ME将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关模式电源(SMPS)二次同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器