AGM216ME
N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21mΩ/27.5mΩ
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- 描述
- 类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A/-5.6A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,5A;27.5mΩ@-4.5V,-4A 栅极电荷(Qg@Vgs):5.5nC@4.5V;10nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):0.355nF@10V;0.671nF@-10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM216ME
- 商品编号
- C22399933
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 671pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
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