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AGM20P22AS
P沟道 20V 8.0A 16mΩ
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8.0A 功率(Pd)：3.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：28.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.010nF@10V ,Vds=-20V Id=-8.0A Rds=16mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM20P22AS
- 商品编号
- C22399934
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
AGM20P22AS将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器