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AGM16N10C
N沟道 100V 55A 15mΩ
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：103W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,12A 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.930nF@20V ,Vds=100V Id=55A Rds=15mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM16N10C
- 商品编号
- C22399937
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.717克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 103W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
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