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HCG65200DAA
HCG65200DAA
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- 描述
- 为您带来革新性的氮化镓场效应管，采用先进的单N沟道设计。这款器件能承受高达650V的漏源电压，适合高电压应用领域。其连续漏极电流能力达到10安培，确保高效能量传输。尤为出色的是，低至160毫欧的导通电阻，在特定栅极电压和漏极电流下，大幅降低了导通损耗，提升了系统能效。无论是追求速度还是能效的现代电子设计，它都是理想的高性能选择，助力您的创新项目迈向新高度。
- 商品型号
- HCG65200DAA
- 商品编号
- C22396442
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ |