HCG65200DAA

HCG65200DAA

描述

为您带来革新性的氮化镓场效应管，采用先进的单N沟道设计。这款器件能承受高达650V的漏源电压，适合高电压应用领域。其连续漏极电流能力达到10安培，确保高效能量传输。尤为出色的是，低至160毫欧的导通电阻，在特定栅极电压和漏极电流下，大幅降低了导通损耗，提升了系统能效。无论是追求速度还是能效的现代电子设计，它都是理想的高性能选择，助力您的创新项目迈向新高度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HCG65200DAA

商品编号

C22396442

商品封装

DFN-8(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

0.3克(g)