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2SK3019
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET是轻载电器及便携设备的理想选择。它拥有30V的漏源击穿电压，支持连续100mA漏极电流，非常适合低功耗应用场景。导通电阻8Ω，确保了良好的信号传输与电源管理效率。适合用于精密电子、消费类电子产品及小型电路项目，是优化能效与空间利用的精巧元件。
- 商品型号
- 2SK3019
- 商品编号
- C22396447
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
优惠活动
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