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16N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET是高电压应用的优选器件，具备650V的漏源电压耐压及16A连续漏极电流承载能力，确保在高压环境中的稳定工作表现。450毫欧的低导通电阻设计，有效提升电路效率，减少能耗。适用于高压电源转换器、LED驱动器及高端家用电器，为您的设备提供高效、可靠的电流控制解决方案。
- 商品型号
- 16N65
- 商品编号
- C22396455
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.442nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 218pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
16N65采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 650V，ID = 16A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 0.55Ω
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源