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SWF20N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 高性能N沟道MOSFET，专为高电压环境设计，耐压达650V，支持20A连续漏极电流，是高能效电源转换与电机控制应用的理想选择。400毫欧导通电阻，在大电流操作下仍保持较低功耗。适用于太阳能逆变、高压LED照明及高端家电控制板，为您的设备提供稳定可靠的电流控制方案。
- 商品型号
- SWF20N65
- 商品编号
- C22396451
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.784848克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.234nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
商品概述
18N50F可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220/TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650V,ID = 20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 0.3Ω
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。