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16N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 此款N沟道MOSFET专为高电压应用设计，650V漏源电压承受力，搭配16A连续漏极电流能力，满足严苛工作条件下的需求。480毫欧导通电阻，在高功率作业中依然保持高效能与稳定性。适用于太阳能系统、高压照明控制及高品质电源管理，是追求高效能与长期可靠性的理想选择。
- 商品型号
- 16N65F
- 商品编号
- C22396454
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.751克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.747nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
总价金额：
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