20N50
1个N沟道 耐压:50V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET设计用于中低压领域，50V漏源耐压与20A大电流处理能力，完美匹配功率转换和高效能电子设备需求。260毫欧低导通电阻，在保证电流顺畅的同时减少发热，提升系统整体能效。广泛适用于消费电子产品、充电器及能量存储系统，是构建可靠、高效电路的精选元件。
- 商品型号
- 20N50
- 商品编号
- C22396450
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ |
梯度价格
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原价
折合1管
1+￥5.0776￥5.77
10+￥4.0832￥4.64
50+￥3.5904￥4.08￥204
100+￥3.1064￥3.53￥176.5
500+￥2.8072￥3.19￥159.5
1000+￥2.6576￥3.02￥151
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购买数量
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总价金额：
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