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18N50F
N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET适用于中等电压电路，具备50V漏源电压额定值，能处理强劲的18A连续漏极电流，特别适合于电源转换及电池管理应用。其导通电阻仅300毫欧，有助于减少能量损耗并提升系统效率。适合于各类消费电子、移动设备及DC-DC转换器，是追求高效能与小型化设计的理想半导体解决方案。
- 商品型号
- 18N50F
- 商品编号
- C22396449
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
16N65F可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220/TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 500V,ID = 18A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 0.38Ω
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。