HCG65200DBA

HCG65200DBA

描述

为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管，突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。其160毫欧的低导通电阻，在确保高效能的同时，优化了电力转换效率。这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生，是追求高性能、紧凑设计的理想元件。选择它，为您的创新电子项目注入澎湃动力。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HCG65200DBA

商品编号

C22396443

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.23克(g)