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HCG65140DAA
650V GaN-on-Silicon 增强模式功率晶体管
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- 描述
- 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。
- 商品型号
- HCG65140DAA
- 商品编号
- C22396444
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
商品特性
- 增强型晶体管 - 常关型功率开关
- 超高开关频率
- 无反向恢复电荷
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 符合 JEDEC 标准，适用于工业应用
- 具备 ESD 保护
- 符合 RoHS、无铅及 REACH 标准
应用领域
- 交流-直流转换器
- 直流-直流转换器
- 图腾柱功率因数校正
- 快速电池充电
- 高密度功率转换
- 高效率功率转换