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SI4403DDY-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:20V 电流:13A
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- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4403DDY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395991
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 测试
- 100% 进行 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 同步整流-次级侧 DC/DC
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