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SIA449DJ-T1-GE3-VB实物图
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SIA449DJ-T1-GE3-VB

P沟道 30V 10A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型功率MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。QFN6(2X2)；P—Channel沟道,-30V；-10A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SIA449DJ-T1-GE3-VB
商品编号
C22395998
商品封装
QFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V；30mΩ@2.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@4.5V；38nC@8V
属性参数值
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)370pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)430pF

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