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SIA931DJ-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)-B；P+P—Channel沟道；-30V；-5.4A；RDS(ON)=38(mΩ)@VGS=10V；VGS=20V；Vth=-1V~3V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIA931DJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22396001
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽场效应晶体管功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤产品
应用领域
-便携式设备-电池开关-负载开关
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