温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR696DP-T1-GE3-VB
N沟道 耐压:150V 电流:70A
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,150V；70A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR696DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22396005
- 商品封装
- DFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 100% 测试栅极电阻 (Rg)
- 100% 测试非钳位感性开关 (UIS)
应用领域
- 电池开关
- DC/DC 转换器
相似推荐
其他推荐
- SIR873DP-T1-GE3-VB
- SIS468DN-T1-GE3-VB
- SIS862DN-T1-GE3-VB
- SIS890DN-T1-GE3-VB
- SIS903DN-T1-GE3-VB
- SISA40DN-T1-GE3-VB
- SISA72DN-T1-GE3-VB
- SISS61DN-T1-GE3-VB
- SISS98DN-T1-GE3-VB
- SIZ340DT-T1-GE3-VB
- SIZ342DT-T1-GE3-VB
- SIZ918DT-T1-GE3-VB
- SQ2308CES-T1_GE3-VB
- SQ2318AES-T1_GE3-VB
- SQ2319ADS-T1_GE3-VB
- SQ2337ES-T1_GE3-VB
- SQ2361ES-T1_GE3-VB
- SQ2362ES-T1_GE3-VB
- SQ2364EES-T1_GE3-VB
- SQ2389ES-T1_GE3-VB
- SQ2398ES-T1_GE3-VB