- 引脚图
- 焊盘图
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SIZ340DT-T1-GE3-VB
SIZ340DT-T1-GE3-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)-C；N+N—Channel沟道；30V；35A；RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIZ340DT-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395882
- 商品封装
- QFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.130627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
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