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SQ2364EES-T1_GE3-VB
N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,100V；2A；RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ2364EES-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395893
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 材料分类:符合RoHS标准、无卤素
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关-液晶电视的LED背光
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