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SQ2364EES-T1_GE3-VB

N沟道 耐压:100V 电流:2A

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描述
SOT23；N—Channel沟道,100V；2A；RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SQ2364EES-T1_GE3-VB
商品编号
C22395893
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.064克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.8V@250uA
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)190pF
类型N沟道
输出电容(Coss)22pF

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