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FDD9507L-F085-VB
P沟道 耐压:40V 电流:90A
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-40V；-90A；RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD9507L-F085-VB
- 商品编号
- C22395910
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 855pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.065nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行 UIS 测试
应用领域
- 电池开关-DC/DC 转换器
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