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FDME1034CZT-VB
N沟道+P沟道 耐压:30V
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- 描述
- DFN8(3X3)；N+P—Channel沟道,±30V；8/-6A；RDS(ON)=13/14mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=±1~±3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDME1034CZT-VB
- 商品编号
- C22395911
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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