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NVMFS5113PLT1G-VB
P沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-60V；-60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=-1.5~-3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NVMFS5113PLT1G-VB
- 商品编号
- C22395916
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET