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SQM40031EL_GE3-VB
P沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-40V；-150A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQM40031EL_GE3-VB
- 商品编号
- C22395902
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 采用 SGT 技术的功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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