温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQS481ENW-T1_GE3-VB
P沟道 耐压:200V 电流:3.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-200V；-3.6A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQS481ENW-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395903
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
-表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-P沟道-快速开关-易于并联-符合RoHS标准-无卤可选
相似推荐
其他推荐
- SQSA80ENW-T1_GE3-VB
- SUD80460E-GE3-VB
- SUM40012EL-GE3-VB
- FDB9503L-F085-VB
- FDBL86062-F085-VB
- FDBL86363-F085-VB
- FDD9507L-F085-VB
- FDME1034CZT-VB
- FDMS86183-VB
- NTD360N80S3Z-VB
- NTHL040N65S3F-VB
- NVMFD5C446NWFT1G-VB
- NVMFS5113PLT1G-VB
- NVMFS5A160PLZT1G-VB
- NVMFS5C450NLAFT1G-VB
- NVMFS5C450NLWFAFT1G-VB
- NVMFS5C673NLAFT1G-VB
- NVMFS5C673NLWFAFT1G-VB
- NVMFS5C682NLAFT1G-VB
- NVMFS6H800NT1G-VB
- NVR5124PLT1G-VB