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SQSA80ENW-T1_GE3-VB
N沟道 耐压:100V 电流:35.3A
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- 描述
- QFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；35.3A；RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2`4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQSA80ENW-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395904
- 商品封装
- QFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 极低的导通电阻(RDS)-栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻(RDS)-输出电荷(Qoss)品质因数进行优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用
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