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FDB9503L-F085-VB
P沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-40V；-150A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDB9503L-F085-VB
- 商品编号
- C22395907
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 采用SGT技术的功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- FDBL86062-F085-VB
- FDBL86363-F085-VB
- FDD9507L-F085-VB
- FDME1034CZT-VB
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- NTD360N80S3Z-VB
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- NVMFS5C450NLAFT1G-VB
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- NVMFS5C673NLAFT1G-VB
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- NVMFS5C682NLAFT1G-VB
- NVMFS6H800NT1G-VB
- NVR5124PLT1G-VB
- NVTFS5C453NLTAG-VB
- NVTFS5C673NLTAG-VB
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