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FDBL86363-F085-VB
N沟道 80V 350A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用SGT技术，适用于高效电源管理和高功率开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDBL86363-F085-VB
- 商品编号
- C22395909
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V；2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
优惠活动
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