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SQ3585EV-T1_GE3-VB
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
- 描述
- SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ3585EV-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395897
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型场效应功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 负载开关
- 适配器/电池开关
- P 沟道 MOSFET
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