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SQ3427AEEV-T1_GE3-VB
SQ3427AEEV-T1_GE3-VB
- 描述
- SOT23-6；P—Channel沟道,-60V；-3.5A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~ -3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ3427AEEV-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395896
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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