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SQ2389ES-T1_GE3-VB
P沟道MOSFET，无卤，采用TrenchFET技术，100%进行Rg和UIS测试，符合RoHS指令
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- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-40V；-3.6A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ2389ES-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395894
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业用N沟道MOSFET
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