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SQ2337ES-T1_GE3-VB
P沟道 耐压:100V 电流:1.5A
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-100V；-1.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ2337ES-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395888
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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