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SQ2361AEES-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-60V；-4.5A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ2361AEES-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395890
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 832pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- TrenchFET®功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 固定电信
- DC/DC转换器
- 原边和副边开关
- 同步整流
- LED照明
- 电源
- D类放大器
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