温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ2319ADS-T1_GE3-VB
P沟道 耐压:40V 电流:3.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-40V；-3.6A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ2319ADS-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C22395887
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- SQ2337ES-T1_GE3-VB
- SQ2361ES-T1_GE3-VB
- SQ2362ES-T1_GE3-VB
- SQ2364EES-T1_GE3-VB
- SQ2389ES-T1_GE3-VB
- SQ2398ES-T1_GE3-VB
- SQ3427AEEV-T1_GE3-VB
- SQ3585EV-T1_GE3-VB
- SQ7414CENW-T1_GE3-VB
- SQD40031EL_GE3-VB
- SQD40131EL_GE3-VB
- SQM100P10-19L_GE3-VB
- SQM40031EL_GE3-VB
- SQS481ENW-T1_GE3-VB
- SQSA80ENW-T1_GE3-VB
- SUD80460E-GE3-VB
- SUM40012EL-GE3-VB
- FDB9503L-F085-VB
- FDBL86062-F085-VB
- FDBL86363-F085-VB
- FDD9507L-F085-VB