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SIS862DN-T1-GE3-VB
N沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,60V；15A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS862DN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22396008
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 结温175°C
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 材料分类:符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 适配器开关
- 笔记本电脑
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