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SIR873DP-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:150V 电流:22A
- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-150V；-22A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR873DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22396006
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 经过100%非钳位感性负载开关测试
应用领域
- 负载开关
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