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SIR610DP-T1-RE3-VB实物图
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SIR610DP-T1-RE3-VB

N沟道 耐压:200V 电流:30A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SIR610DP-T1-RE3-VB
商品编号
C22396002
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))43mΩ@7.5V
耗散功率(Pd)66.6W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.38nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)142pF

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