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SIA537EDJ-T1-GE3-VB
SIA537EDJ-T1-GE3-VB
- 描述
- DFN6(2X2)；N+P—Channel沟道,±30V；±7A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=±1~±2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIA537EDJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22396000
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-电机驱动-移动电源
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