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SIA477EDJ-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- DFN6(2X2)；P—Channel沟道,-20V；-10A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIA477EDJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395999
- 商品封装
- DFN2x2-6-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 极低的 Qgd，可降低开关损耗
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
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