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SI7309DN-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:60V 电流:36A
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- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-60V；-36A；RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7309DN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395996
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- DFN 3x3 EP封装
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