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SI7972DP-T1-GE3-VB
N沟道 耐压:60V 电流:17A
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- 描述
- DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,60V；17A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.7V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7972DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395997
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 435pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- PWM优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 系统电源DC/DC
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