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SI7121ADN-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-30A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=-1.2~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7121ADN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395993
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V；15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 312pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
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