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SI7153DN-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:30V 电流:45A
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- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7153DN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22395994
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 322pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 低热阻 PowerPAK 封装,尺寸小,高度仅 1.07 mm
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 适配器开关
- 笔记本电脑
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