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AGM40P25AP
P沟道 40V 19A 32mΩ
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：19A功率(Pd）：34W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：32mΩ@10V,10A 栅极电荷（Qg@Vgs）19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.021nF@20V ,Vds=-40v Id=-19A Rds=32mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P25AP
- 商品编号
- C22386133
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.021nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63.6pF |
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