温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 673W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.26nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.24nF |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 时,最大 rDS(on) = 2.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 80 A 时,最大 rDS(on) = 2.9 m Ω
- 低米勒电荷
- 低 Qrr 体二极管
- 具备UIL能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换
- 启动/交流发电机系统