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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 837pF |
商品概述
采用独特的STripFET™工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它非常适合作为先进高效隔离式DC-DC转换器中的主开关。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用
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