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IRS2005STR(UMW)

250V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述: IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑（LSTTL）输出兼容，低至3.3V
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IRS2005STR(UMW)
商品编号: C20623177
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2132克(g)

商品参数

商品概述

UMW IRS2005STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，其工作电压最高可达250V。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计
可在高达+250V的电压下完全正常工作
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
dV/dt抗噪声能力为±50V/ns
允许的负Vs能力：-9V
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道欠压锁定——正向UVLO为8.9V——反向UVLO为8.2V
传播延迟——导通时间/关断时间 = 130ns/130ns——匹配延迟时间为50ns
宽工作温度范围为-40℃至125℃
典型输出源/灌电流能力：290mA/600mA

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型/小型逆变器驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA