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IRS2181STR(UMW)

700V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述: IRS2181STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IRS2181STR(UMW)
商品编号: C20623180
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2108克(g)

商品参数

商品概述

UMW IRS2181STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其专有的高压集成电路和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET，其工作电压高达700V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
完全工作电压高达+700V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
电压变化率抗扰度 ±50 V/ns
允许的负Vs能力：-9V
栅极驱动电源范围：10V至20V
典型输出源/灌电流能力：4A/4A
双通道欠压锁定
正向欠压锁定阈值：8.9V
反向欠压锁定阈值：8.2V
开启/关闭传播延迟：Ton/Toff =130ns/130ns
双通道匹配的传播延迟

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型/迷你逆变器驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	15ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	10ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	150uA
	功能特性	交错导通保护