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IRS2008STR(UMW)

250V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

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描述: IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，最低可至3.3V
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: IRS2008STR(UMW)
商品编号: C20623198
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2124克(g)

商品参数

商品概述

IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高工作电压可达250V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计
最高可在+250V下完全正常工作
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dV/dt抗噪能力 ±50V/ns
允许的负Vs能力：-9V
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道欠压锁定
- 正向欠压锁定（UVLO）8.9V
- 反向欠压锁定（UVLO）8.2V
交叉导通预防逻辑
- 死区时间520ns
传播延迟
- 导通时间（Ton）/关断时间（Toff） = 680ns/150ns
宽工作温度范围 -40℃~125℃
典型输出源/灌电流能力：290mA/600mA

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型/小型逆变器驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	680ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	300uA